Προσοχή! Στο site μας χρησιμοποιούμε Cookies για στατιστικούς λόγους, κανένα προσωπικό στοιχείο δεν συλλέγεται ή αποθηκεύεται. Μάθετε περισσότερα εδώ. OK

Φίλτρα Προϊόντων

Transistor Type
Εταιρεία
Διαθεσιμότητα

Transistor-Mosfet-Triac

0.10
Single Bipolar PNP, Κίνα
Specifications: Manufacturer: Fairchild Manufacturer Part No: 2N5401 Package / Case: TO-92 RoHS: Yes Current Rating: 0.6A Voltage...
Διαθέσιμο
+

Η ελάχιστη ποσότητα είναι "5".

Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.0492
Specifications : Type of semiconductor component diac Off state voltage max. 28V Load current max. 2A Case DO35 Mounting THT...
Διαθέσιμο

Η ελάχιστη ποσότητα είναι "5".

Προσθήκη στα Αγαπημένα

1.20
N-Mosfet
This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate...

1.00
N-Mosfet
Specifications : Transistor type N-MOSFET Polarisation unipolar Transistor kind HEXFET Drain-source voltage 30V Drain current 150A...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

1.00
Single Bipolar NPN, Κίνα
Specifications : Transistor Polarity NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo 25V Transition Frequency ft 150MHz DC Collector Current 200mA...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

1.00
Single Bipolar NPN, Κίνα
Specifications : Transistor Polarity NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo 25V Transition Frequency ft 150MHz DC Collector Current 200mA...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.1500
N-JFET, Το προϊόν είναι εξάρτημα και δεν αποτελεί έτοιμη συσκευή., Breadboard Friendly
Specifications : Manufacturer FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Transistor type N-JFET Polarisation unipolar Drain-source voltage 30V Drain current...

0.2000
N-JFET, Το προϊόν είναι εξάρτημα και δεν αποτελεί έτοιμη συσκευή., Breadboard Friendly
Specifications : Manufacturer FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Transistor type N-JFET Polarisation unipolar Drain-source voltage 35V Drain current...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.0500
Specifications : Transistor type NPN Polarisation bipolar Collector-emitter voltage 25V Collector current 800mA Power 625mW Case TO92...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

2.90
IGBT
Specifications : Manufacturer Infineon (IRF) Transistor type IGBT Collector-emitter voltage 600V Collector current 55A Power 200W Case...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.2500
Specifications : Manufacturer ST MICROELECTRONICS Type of semiconductor component triac Off state voltage max. 600V Load current max. 1A...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα


1.10
N-Mosfet
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.4000
Κίτ μόνωσης για ηλεκτρονικά εξαρτήματα σχήματος TO220.
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.10
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.10
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

1.20
Single Bipolar NPN, Ινδία
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.80
N-Mosfet, ΗΠΑ
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα



1.60
Single Bipolar NPN, Ινδία


0.3000
Darlington NPN, Κίνα



0.80
N-Mosfet, Κίνα
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

1.20
Κίνα
Based on ST’s Snubberless / logic level technology providing high commutation performances, the T4 series is suitable for use on AC inductive loads. They are...

0.0600
Single Bipolar PNP, Κίνα

These are very common, high quality BJT, PNP transistors made by ST Micro.

Διαθέσιμο
+

Η ελάχιστη ποσότητα είναι "5".

Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.3936
Κίνα
Specifications: Type of semiconductor component triac Off state voltage max. 600V Load current max. 4A Gate current 70mA Case TO220AB...
Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

1.00
P-Mosfet, Κίνα

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.0600
Single Bipolar NPN, Κίνα

These are very common, high quality BJT NPN transistors made by ST Micro.

Διαθέσιμο
+

Η ελάχιστη ποσότητα είναι "5".

Προσθήκη στα Αγαπημένα

0.80
N-Mosfet, Κίνα

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Διαθέσιμο
+
Προσθήκη στα Αγαπημένα