ΔΩΡΕΑΝ ΜΕΤΑΦΟΡΙΚΑ για παραγγελίες άνω των 85.00 έως 2kg

Mosfet N-Channel 0.36A - BSS138P

από NEXPERIA
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET...
05-00213564
Ογκομετρικό βάρος: 0kg
Εγγύηση: Ως εξάρτημα, δεν καλύπτεται
Κατασκευαστής: NEXPERIA
Part Number: BSS138P.215
Χώρα Προέλευσης: Κίνα
Διαθέσιμο
Αποστολή σε 24 ώρες
Χωρίς απόθεμα στο φυσικό κατάστημα
0.1500
Χωρίς ΦΠΑ 0.12
+
Τιμές βάση ποσότητας (Λιανική - Χονδρική):
Ποσότητα 10+ 100+
Τιμή 0.1200 0.1050

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

  • Logic-level compatible
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • AEC-Q101 qualified

Applications

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side loadswitch
  • Switching circuits

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

Εγγύηση:
Ως εξάρτημα, δεν καλύπτεται
Κατασκευαστής
:
NEXPERIA
Part Number:
BSS138P.215
Μικτό Βάρος:
0.001kg
Χώρα Προέλευσης:
Κίνα
Τύπος Τρανζίστορ:
N-Channel
Max. Drain Current:
0.36A
Max. VDS:
60V

ΕΠΙΠΛΕΟΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

  • Type of transistor: N-MOSFET
  • Polarisation: Unipolar
  • Drain-source voltage: 60V
  • Drain current: 0.36A
  • Power dissipation: 350mW
  • Case: SOT23, TO236AB
  • Gate-source voltage: ±20V
  • On-state resistance: 1.6Ω
  • Mounting: SMD
  • Kind of package: reel, tape
  • Kind of channel: Enhanced

ΑΡΧΕΙΑ