Προσοχή! Στο site μας χρησιμοποιούμε Cookies για στατιστικούς λόγους, κανένα προσωπικό στοιχείο δεν συλλέγεται ή αποθηκεύεται. Μάθετε περισσότερα εδώ. OK
Mosfet N-Channel 9.7A - IRF520N

Mosfet N-Channel 9.7A - IRF520N

Infineon (IRF), IRF520NPBF
05-00052097

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. 

0.75
Διαθέσιμο
+
10+ 100+ 1000+
0.60 0.52 0.4500
Προσθήκη στα Αγαπημένα
Διαθεσιμότητα Καταστήματος
Εξαντλημένο
διαθέσιμο για online αγορά

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. 

Κατασκευαστής :
Infineon (IRF)
MPN:
IRF520NPBF
Τύπος Τρανζίστορ:
N-Channel
Max. Drain Current:
9.7A
Max. VDS:
100V

Δεν βρέθηκαν δημοσιεύσεις

Γράψτε μια κριτική
  • Transistor type N-MOSFET
  • Polarisation unipolar
  • Transistor kind HEXFET
  • Drain-source voltage 100V
  • Drain current 9.7A
  • Power 48W
  • Case TO220AB
  • Gate-source voltage 20V
  • On-state resistance 200mΩ
  • Junction-to-case thermal resistance 3.1K/W
  • Mounting THT
  • Gate charge 16.7nC
Οι φωτογραφίες των προϊόντων μπορεί να διαφέρουν απο την πραγματικότητα. Προσπαθούμε να παρουσιάσουμε το προϊόν όσο καλύτερα γίνεται.