Mosfet IRF520N N-Channel 9.7A 100V

Mosfet N-Channel 100V 9.7A - IRF520N

Κατασκευαστής: Infineon (IRF)
MPN: IRF520NPBF
05-00052097

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. 

0.75 (με ΦΠΑ)
Διαθέσιμο
+
Ποσότητα Τιμή
10+ 0.60
100+ 0.52
1000+ 0.4500
Διαθεσιμότητα Καταστήματος
Περιορισμένη Διαθεσιμότητα

Specifications:

  • Transistor type N-MOSFET
  • Polarisation unipolar
  • Transistor kind HEXFET
  • Drain-source voltage 100V
  • Drain current 9.7A
  • Power 48W
  • Case TO220AB
  • Gate-source voltage 20V
  • On-state resistance 200mΩ
  • Junction-to-case thermal resistance 3.1K/W
  • Mounting THT
  • Gate charge 16.7nC
Transistor Type:
  • N-Mosfet
Κατασκευαστής :
Infineon (IRF)
MPN:
IRF520NPBF
Πιστοποιητικά:
N

Δεν βρέθηκαν δημοσιεύσεις

Οι φωτογραφίες των προϊόντων μπορεί να διαφέρουν απο την πραγματικότητα. Προσπαθούμε να παρουσιάσουμε το προϊόν όσο καλύτερα γίνεται.