ΔΩΡΕΑΝ ΜΕΤΑΦΟΡΙΚΑ για παραγγελίες άνω των 85.00 έως 2kg

Mosfet N-Channel 9.7A - IRF520N

από Infineon

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. 

05-00052097
Ογκομετρικό βάρος: 0kg
Εγγύηση: Ως εξάρτημα, δεν καλύπτεται
Κατασκευαστής: Infineon
Part Number: IRF520NPBF
Διαθέσιμο
Αποστολή σε 24 ώρες
Χωρίς απόθεμα στο φυσικό κατάστημα
1.50
Χωρίς ΦΠΑ 1.21
+

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

Εγγύηση:
Ως εξάρτημα, δεν καλύπτεται
Κατασκευαστής
:
Infineon
Part Number:
IRF520NPBF
Μικτό Βάρος:
0.001kg
Τύπος Τρανζίστορ:
N-Channel
Max. Drain Current:
9.7A
Max. VDS:
100V

ΕΠΙΠΛΕΟΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

  • Transistor type N-MOSFET
  • Polarisation unipolar
  • Transistor kind HEXFET
  • Drain-source voltage 100V
  • Drain current 9.7A
  • Power 48W
  • Case TO220AB
  • Gate-source voltage 20V
  • On-state resistance 200mΩ
  • Junction-to-case thermal resistance 3.1K/W
  • Mounting THT
  • Gate charge 16.7nC

ΑΡΧΕΙΑ