Προσοχή! Στο site μας χρησιμοποιούμε Cookies για στατιστικούς λόγους, κανένα προσωπικό στοιχείο δεν συλλέγεται ή αποθηκεύεται. Μάθετε περισσότερα εδώ. OK

Mosfet N-Channel 33A - IRF540N

05-00054033

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

0.80
Διαθέσιμο
+
10+ 100+ 1000+
0.64 0.56 0.4800
Προσθήκη στα Αγαπημένα
Διαθεσιμότητα Καταστήματος
Περιορισμένη Διαθεσιμότητα
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Κατασκευαστής :
International Rectifier
MPN:
IRF540N
Χώρα Προέλευσης:
Κίνα
Τύπος Τρανζίστορ:
N-Channel
Max. Drain Current:
33A
Max. VDS:
100V

Δεν βρέθηκαν δημοσιεύσεις

Γράψτε μια κριτική
  • Manufacturer: IR
  • Manufacturer Part No: IRF540N
  • Package / Case: TO-220
  • RoHS: Yes
  • Transistor Type: MOSFET
  • Transistor Polarity: N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds: 100V
  • Continuous Drain Current, Id: 33A
  • On Resistance, Rds(on): 44mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V
  • Drain Source On Resistance @ 10V: 44mohm
Οι φωτογραφίες των προϊόντων μπορεί να διαφέρουν απο την πραγματικότητα. Προσπαθούμε να παρουσιάσουμε το προϊόν όσο καλύτερα γίνεται.