ΔΩΡΕΑΝ ΜΕΤΑΦΟΡΙΚΑ για παραγγελίες άνω των 85.00 έως 2kg

Mosfet N-Channel 33A - IRF540N

από Infineon

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

05-00054033
Ογκομετρικό βάρος: 0kg
Εγγύηση: Ως εξάρτημα, δεν καλύπτεται
Κατασκευαστής: Infineon
Part Number: IRF540NPBF
Χώρα Προέλευσης: Κίνα
Διαθέσιμο
Αποστολή σε 24 ώρες
Χωρίς απόθεμα στο φυσικό κατάστημα
1.40
Χωρίς ΦΠΑ 1.13
+
Τιμές βάση ποσότητας (Λιανική - Χονδρική):
Ποσότητα 10+ 100+
Τιμή 1.12 0.98

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

Εγγύηση:
Ως εξάρτημα, δεν καλύπτεται
Κατασκευαστής
:
Infineon
Part Number:
IRF540NPBF
Μικτό Βάρος:
0.001kg
Χώρα Προέλευσης:
Κίνα
Τύπος Τρανζίστορ:
N-Channel
Max. Drain Current:
33A
Max. VDS:
100V

ΕΠΙΠΛΕΟΝ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

  • Manufacturer: IR
  • Manufacturer Part No: IRF540N
  • Package / Case: TO-220
  • RoHS: Yes
  • Transistor Type: MOSFET
  • Transistor Polarity: N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds: 100V
  • Continuous Drain Current, Id: 33A
  • On Resistance, Rds(on): 44mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V
  • Drain Source On Resistance @ 10V: 44mohm

ΑΡΧΕΙΑ

ΠΡΟΤΕΙΝΟΥΜΕ ΕΠΙΣΗΣ